ELEMENT EDS
El sistema EDS EDAX Element proporciona una capacidad analítica poderosa en un paquete compacto, maximizando desempeño y flexibilidad proporcionando una operación fluida para garantizar resultados rápidos y facilidad de uso. Es ideal para el mercado industrial, donde problemas específicos de aplicación deben ser resueltos de una forma rápida y precisa.
Combinando un detector de deriva de Silicio (SDD) con software amigable APEX se provee al Usuario de una solución de microanálisis EDS para todos los niveles de análisis y aplicaciones industriales de alto rendimiento.
| Producto | Sistema EDS Element |
|---|---|
| Detector | Silicon drift detector |
| Tecnica | EDS |
| Resolucion (eV) | 129 @ Mn Kα @ 10k cps |
| Modulo de Detector | Encapsulado al vacio |
| Platina | Fija o Manual |
| Tamaño de Chip SDD | 30 mm2 |
| Material de Ventana | Nitruro de Silicio (Si3N4) |
| Espesor de ventana | <100 nm |
| Sistema de enfriamiento | Peltier |
| Rango de deteccion | Be a Am |
| Rendimiento | 300k cps de salida a >1m cps de entrada |
| Relacion Pico a fondo | 10,000:1 |
| Estabilidad de resolucion | >90% hasta 200k cps |
| Muestreo de espectro | 10 eV/canal |
| Voltaje de detector | +5 V |
| Voltaje de operación del sistema | 100 – 240 VCA 50 – 60 Hz |
| Señal de salida | BNC/Ethernet |
| Condiciones de operacion | 5 – 35 °C 20 – 80% RH sin condensación |
SIPROA
octane
elect
El sistema EDS EDAX Octane Elect es una plataforma de espectroscopia de energía dispersiva mejorada con la ultima tecnología de detector de deriva de silicio SDD y avances en electronica de alta velocidad. Adecuado para usuarios quienes demandan mas alto desempeño y funcionalidad, el sistema EDS Octane Elect provee excelente resolución y alto rendimiento a valores optimos con notable sensibilidad en bajas energias para detección de elementos ligeros y microanalisis a bajo voltaje (kV).
El mejor desempeño en elementos ligeros
The Octane Elect SDD with a silicon nitride (Si3N4) window offers major transmission improvements compared to detectors with a polymer window, leading to greatly improved light element performance and significantly more critical data for the materials analyst.
The mechanical properties of Si3N4 allow the use of thinly fabricated windows with a low aspect ratio support grid, offering a significant benefit in terms of low energy sensitivity and optimal low voltage analysis.
Rendimiento a bajo kV
Las propiedades mecánicas del Si3N4 permiten el uso de ventanas finamente fabricadas con una rejilla de soporte de relación de aspecto bajo, que ofrece un beneficio significativo en términos de sensibilidad en bajas energias y análisis óptimo a bajo voltaje Kv.
| Producto | Sistema Octane Elect EDS |
|---|---|
| Detector | Silicon drift detector |
| Tecnica | EDS |
| Resolucion (eV) | 127 @ Mn Kα @ 10k cps |
| Modulo de detector | Encapsulado al vacio |
| Platina | Manual |
| Tamaño de chip SDD | Elect Plus – 30 mm2 |
| Material de Ventana | Elect Super – 70 mm2 |
| Espesor de ventana | Nitruro de Silicio (Si3N4) |
| Sistema de enfriamiento | <100 nm |
| Rendimiento | Peltier |
| Relacion Pico Ruido | >700k cps de salida a 1.6m cps de entrada |
| Estabilidad de resolución | 10,000:1 |
| Muestreo de espectro | >90% hasta 200k cps |
| Voltaje de operación del sistema | 10 eV/canal |
| Operating conditions | 100 – 240 VCA 47 – 63 Hz |
| 5 – 35 °C 20 – 80% RH sin condensacion |
SIPROA
octane
elite
Los avances innovadores en el sistema EDAX Octane Elite EDS con los detectores de deriva de silicio (SDD) patentados llevan el análisis de espectroscopía de dispersión de energía (EDS)al siguiente nivel. Este sistema incluye detectores con ventana de nitruro de silicio (Si3N4)que ofrece mejoras notables en la sensibilidad a baja energía para detección de elementos ligeros y microanálisis de bajo kV. Los detectores Octane Elite también utilizan Tecnología de procesamiento de datos de rayos X de alta velocidad dentro de un dispositivo detector más pequeño y completamente encapsulado al vacío.
El Mejor desempeño en elementos ligeros.
La ventana de nitruro de silicio ofrece importantes mejoras respecto a una ventana de polímero, mejorando el desempeño en elementos ligeros y significativamente más en datos críticos para el analista.
Ventana Si3N4
La ventana de nitruro de silicio ofrece una transmisión superior de baja energía en comparación a la ventana de polímero.
Platina motorizada la platina motorizada ofrece un control completo del detector a través del software y es óptimo para la flexibilidad analítica. Es ideal para todos los sistemas FIB.
El software APEX para EDS permite a los usuarios optimizar su tiempo de análisis y obtener los mejores datos posibles de su muestra APEX™ garantiza resultados precisos y de alta calidad y una mayor productividad con su interfaz de fácil uso., visualización gráfica en tiempo real y modo de revisión simultánea.
| Producto | Sistema Octane Elite EDS |
|---|---|
| Detector | Silicon drift detector |
| Technique | EDS |
| System resolution (eV) | 125, 123 @ Mn Kα @ 10k cps |
| Detector module | Vacuum encapsulated |
| Slide | Motorized |
| Chip size | Plus – 30 mm2 |
| Window material | Super – 70 mm2 |
| Window thickness | Silicon nitride (Si3N4) |
| Cooling system | <100 nm |
| Throughput | Peltier |
| Peak-to-background | >850k output cps at 2.0m input cps |
| Resolution stability | 10,000:1 |
| Spectrum display | >90% up to 200k cps |
| System operating voltage | 10 eV/ch |
| Operating conditions | 100 – 240 VAC 47 – 63 Hz |
| 5 – 35 °C 20 – 80% RH non-condensing |
ELITE T EDS
Presentamos los sistemas EDAX Elite T EDS: la herramienta de espectroscopía de rayos X por dispersión de energía (EDS) más intuitiva y fácil de usar para aplicaciones de microscopio electrónico de transmisión de barrido (S)TEM y microscopía in- situ.
Los sistemas Elite T EDS integran completamente la adquisición, el análisis y la generación de informes de datos mediante software estándar de la industria, lo que le permite lograr el mejor análisis elemental EDS posible en las condiciones más difíciles.
Beneficios:
Genera la vista más completa de su muestra – Sincroniza a la perfección el control experimental y vincula conjuntos de datos multidimensionales. Ofrece un detalle inigualable en mapas elementales y de fase resuelve claramente las características utilizando un sensor con un área activa 80 % mayor que la de otros detectores. Ideal tanto para usuarios expertos como principiantes proporciona la herramienta analítica más intuitiva y fácil de usar para aplicaciones STEM.
En esencia, los sistemas Elite T utilizan una geometría de sensor compacta y una gran área activa para maximizar el ángulo sólido de recolección, ofreciendo un ángulo de recolección sin obstrucciones de hasta 2,3 steradian,
aumentando el recuento de rayos X detectados y brindando una eficiencia de detección excepcional para realizar el mapeo composicional con rapidez y precisión, a la vez que minimiza el daño del haz.
Con el software DigitalMicrograph®, estándar de la industria, el mapeo elemental en vivo y el análisis elemental cuantitativo son accesibles para usuarios de todos los niveles de experiencia. Gracias a un enfoque unificado para la recopilación y el análisis de datos, podrá realizar fácilmente estudios de EDS de forma independiente o en paralelo con otros experimentos STEM.
Los sistemas Elite T proporcionan una comprensión más profunda de los procesos dinámicos durante la microscopía electrónica in situ, sincronizando el control experimental y proporcionando resultados significativos en tiempo real.
Registre señales STEM en paralelo desde múltiples detectores (p. ej., EDS, campo claro y oscuro, espectroscopía de pérdida de energía electrónica [EELS], STEM 4D, catodoluminiscencia) y vincule conjuntos de datos multidimensionales sin problemas para obtener una visión completa de su muestra e impulsar su investigación.
| Detector chip | 70 mm2 160 mm2 |
|---|---|
| Window design | Windowless |
| Elemental range | Be – Am |
| X-ray energy, min. | 73 eV (Al L) |
| Cooling | Peltier |
| Energy resolution1 | 127 eV 128 eV |
| Input count rate, max. | 1.8m cps 1.0m cps |
| Throughput, max. | >850k cps >400k cps |
| Insertion mechanism | Precision motorized slide |
| Stray x-ray rejection | Included |
| Shutter | Optional2,3 |
| Compatible with sample heating <400 °C | Included |
| Compatible with sample heating ~1,000 °C | Optional IR filter available2,3 |
| Software | DigitalMicrograph |
